Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
UPA814T-T1
- upa814t.t1
- NEC
- TRANS NPN HF FT=9GHZ SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz · Усиление: 6.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA814T-T1-A
- upa814t.t1.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN FT=9GHZ SOT-36 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz · Усиление: 6.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного ток
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA812T-T1-A
- upa812t.t1.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 7GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 1.7dB @ 1GHz · Усиление: 10dB ~ 12dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление по
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA812T-A
- upa812t.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 7GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 1.7dB @ 1GHz · Усиление: 10dB ~ 12dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление по
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA810T-T1-A
- upa810t.t1.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN FT=4.5GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz · Усиление: 7dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усилен
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA811T-A
- upa811t.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 8GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz · Усиление: 5.5dB ~ 7.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA811T-T1-A
- upa811t.t1.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 8GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz · Усиление: 5.5dB ~ 7.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA810T-A
- upa810t.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 4.5GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz · Усиление: 7dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA810T-T1
- upa810t.t1
- NEC
- TRANS NPN HF FT=4.5GHZ SOT-36 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz · Усиление: 7dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA806T-T1-A
- upa806t.t1.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN FT=12GHZ SOT36 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 7dB ~ 8.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA806T-T1
- upa806t.t1
- NEC
- TRANS NPN HF FT=12GHZ SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 7dB ~ 8.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA806T-A
- upa806t.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 12GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 7dB ~ 8.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление п
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA802T-T1-A
- upa802t.t1.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN HF 7GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 1.7dB @ 1GHz · Усиление: 10dB ~ 12dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA802T-A
- upa802t.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN HF 7GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 1.7dB @ 1GHz · Усиление: 10dB ~ 12dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA801T-T1-A
- upa801t.t1.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN HF 4.5GHZ SOT3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz · Усиление: 7dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA801T-A
- upa801t.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN HF 4.5GHZ SOT3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz · Усиление: 7dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA800T-T1-A
- upa800t.t1.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN HF FT=8GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz · Усиление: 5.5dB ~ 7.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Уси
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA800T-T1
- upa800t.t1
- NEC
- TRANS NPN HF FT=8GHZ SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz · Усиление: 5.5dB ~ 7.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усилени
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA800T-A
- upa800t.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN HF 8GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz · Усиление: 5.5dB ~ 7.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усилен
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPR1000
- tpr1000
- MICROSEMI
- 55KV-1/BIPOLAR/LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК