Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
BFR 182 E6327
- bfr.182.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 18dB ~ 12dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усилени
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 181W E6327
- bfr.181w.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 19dB · Мощность макcимальная: 175mW · Тип транзистора: NPN · Усиление пост
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFQ 19S E6327
- bfq.19s.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz · Усиление: 11.5dB ~ 7dB · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 650 E6327
- bfp.650.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 37GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21.5dB ~ 10.5dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип тра
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 450 E6433
- bfp.450.e6433
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 24GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz · Усиление: 15.5dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного ток
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 405F E6327
- bfp.405f.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz · Усиление: 22.5dB · Мощность макcимальная: 55mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 181 E7764
- bfp.181.e7764
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 21dB ~ 17.5dB · Мощность макcимальная: 175mW · Тип транзистора: NPN · Усил
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG 235 E6327
- bfg.235.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB @ 900MHz · Усиление: 12.5dB · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG 19S E6327
- bfg.19s.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 14dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление по
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4808G0L
- 2sc4808g0l
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 10VCEO 80MA SSMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 800MHz · Усиление: 11dB ~ 14dB · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постоян
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZUMTS17HTC
- zumts17htc
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR RF NPN SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 330mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZUMT918TA
- zumt918ta
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR NPN 15V 100MA SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 600MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 330mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZUMTS17HTA
- zumts17hta
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR RF NPN SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 330mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZTX325STZ
- ztx325stz
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR RF NPN TO92-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZTX325STOB
- ztx325stob
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR RF NPN TO92-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZTX325STOA
- ztx325stoa
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR RF NPN TO92-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZTX325
- ztx325
- Diodes/Zetex
- TRANS HF NPN 15V 1300MHZ TO92-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA895TS-A
- upa895ts.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN DUAL 6-SMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Модуляция частот: 6.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 4.5dB ~ 5.5dB · Мощность макcимальная: 130mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиле
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA895TS-T3-A
- upa895ts.t3.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN DUAL 6-SMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Модуляция частот: 6.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 4.5dB ~ 5.5dB · Мощность макcимальная: 130mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиле
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA814T-A
- upa814t.a
- NEC
- TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz · Усиление: 6.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК