Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
BFS17HTA
- bfs17hta
- Diodes/Zetex
- TRANS RF NPN 15V 25MA SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 330mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS17A,235
- bfs17a.235
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 15V 25mA 300mW 25 2.8GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS17A,215
- bfs17a.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 25MA 15V 3GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 2.8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.5dB @ 800MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS17,235
- bfs17.235
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 15V 25mA 300mW 25 1GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS17,215
- bfs17.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 25MA 15V 1GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR94AW,115
- bfr94aw.115
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 5GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR94A,215
- bfr94a.215
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 5GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 949L3 E6327
- bfr.949l3.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 10V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz · Усиление: 21.5dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR93AW,135
- bfr93aw.135
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 12V 35mA 300mW 40 5GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 93AW H6327
- bfr.93aw.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR93AW,115
- bfr93aw.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 12V 35MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR93AR,215
- bfr93ar.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 35MA 12V 6GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR93A,235
- bfr93a.235
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 12V 35mA 300mW 40 6GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR93A,215
- bfr93a.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 35MA 12V 6GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 92W H6327
- bfr.92w.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 92W E6327
- bfr.92w.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 15V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 17dB ~ 11.5dB · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усилен
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR92AW,135
- bfr92aw.135
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 25MA 15V 5GHZ UMT3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR92AW,115
- bfr92aw.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz · Усиление: 14dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR92A,235
- bfr92a.235
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 15V 25mA 300mW 65 5GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR92A,215
- bfr92a.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 25MA 15V 5GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.1dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК