Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
BFQ31ATA
- bfq31ata
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR UHF/VHF NPN SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 640ESD H6327
- bfp.640esd.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTORS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFQ19,115
- bfq19.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.3dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFQ18A,115
- bfq18a.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 18V 150MA SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Модуляция частот: 4GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V · Ток коллектора (макс): 150mA · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFQ149,115
- bfq149.115
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 15V 100MA SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.75dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 740 H6327
- bfp.740.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 740F H6327
- bfp.740f.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 740FESD H6327
- bfp.740fesd.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BI
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 740FESD E6327
- bfp.740fesd.e6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTORS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 740F E6327
- bfp.740f.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 30MA TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 42GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 27.5dB · Мощность макcимальная: 160mW · Тип транзистора: NPN · Усиление пос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 740ESD H6327
- bfp.740esd.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTORS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 740 E6327
- bfp.740.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 30MA SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 42GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 27dB · Мощность макcимальная: 160mW · Тип транзистора: NPN · Усиление пост
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 720 H6327
- bfp.720.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 720F H6327
- bfp.720f.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 720FESD H6327
- bfp.720fesd.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTORS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 720FESD E6327
- bfp.720fesd.e6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTORS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 720F E6327
- bfp.720f.e6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTORS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 720ESD H6327
- bfp.720esd.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTORS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 650 H6327
- bfp.650.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 650F H6327
- bfp.650f.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК