Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
BFR 193W E6327
- bfr.193w.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 16dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 580mW · Тип транзистора: NPN · Усилен
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 193L3 E6327
- bfr.193l3.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 12V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 19dB ~ 12.5dB · Мощность макcимальная: 580mW · Тип транзистора: NPN · Усилени
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 193F H6327
- bfr.193f.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 183W H6327
- bfr.183w.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 183T E6327
- bfr.183t.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 12V SC-75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 19.5dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постоя
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 182W H6327
- bfr.182w.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 182T E6327
- bfr.182t.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 12V SC-75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постоя
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 182 B6663
- bfr.182.b6663
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 18dB ~ 12dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усилени
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 181T E6327
- bfr.181t.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 12V SC-75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 13.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 175mW · Тип транзистора: NPN · Усиле
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 181W H6327
- bfr.181w.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 181 E6780
- bfr.181.e6780
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 18.5dB · Мощность макcимальная: 175mW · Тип транзистора: NPN · Усиление пос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 181 E6327
- bfr.181.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 18.5dB · Мощность макcимальная: 175mW · Тип транзистора: NPN · Усиление пос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 106 E6327
- bfr.106.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz · Усиление: 13dB ~ 8.5dB · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип транзистора: NPN · Усилени
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR106,215
- bfr106.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 15V 5GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz · Усиление: 11.5dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFQ67W,135
- bfq67w.135
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 10V 50mA 300mW 60 8GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFQ67W,115
- bfq67w.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 10V 20MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFQ67,215
- bfq67.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 50MA 10V 8GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.7dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFQ591,115
- bfq591.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 15V 7GHZ SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 7GHz · Усиление: 10dB · Мощность макcимальная: 2.25W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V · Ток коллектора (м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP640FE6327
- bfp640fe6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 4V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 40GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 23dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постоян
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFQ31ATC
- bfq31atc
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR UHF/VHF NPN SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК