Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
BFR 740L3RH E6327
- bfr.740l3rh.e6327
- Infineon Technologies
- TRANS RF BIPO NPN 30MA TSLP-3-9 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 42GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz · Усиление: 24.5dB · Мощность макcимальная: 160mW · Тип транзистора: NPN · Усиление по
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 705L3RH E6327
- bfr.705l3rh.e6327
- Infineon Technologies
- TRANS RF BIPO NPN 10MA TSLP-3-9 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 39GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz · Усиление: 25dB · Мощность макcимальная: 40mW · Тип транзистора: NPN · Усиление посто
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR540,235
- bfr540.235
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 15V 120mA 500mW 100 9GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR540,215
- bfr540.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 120MA 15V 9GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz · Усиление: 12dB ~ 13dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление пост
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR520T,115
- bfr520t.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-416 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR520,215
- bfr520.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 70MA 15V 9GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz · Усиление: 13dB ~ 14dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постоя
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR520,235
- bfr520.235
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 15V 70mA 300mW 60 9GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR505T,115
- bfr505t.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-416 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.7dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR505,215
- bfr505.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz · Усиление: 17dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление пос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 460L3 E6327
- bfr.460l3.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 22GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление пос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 380L3 E6327
- bfr.380l3.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 6V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 380mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного то
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 380F H6327
- bfr.380f.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 360L3 E6765
- bfr.360l3.e6765
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 6V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 16dB ~ 11.5dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление п
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 360F H6765
- bfr.360f.h6765
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 360L3 E6327
- bfr.360l3.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 6V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 16dB ~ 11.5dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление п
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 360F H6327
- bfr.360f.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 360F E6327
- bfr.360f.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 6V TSFP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz · Усиление: 15.5dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 340T E6327
- bfr.340t.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 6V SC-75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 60mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 340F H6327
- bfr.340f.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 193W H6327
- bfr.193w.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК