Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
BF904,215
- bf904.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143B Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 200MHz · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF861C,215
- bf861c.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 25mA · Корпус: SST3 (SOT-23-3)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF862,235
- bf862.235
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом N-Channel Single '+/- 20V 25mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF862,215
- bf862.215
- NXP Semiconductors
- JFET N-CHAN 20V SOT-23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 20В · Номинал тока: 25mA · Корпус: SST3 (SOT-23-3)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF861B,235
- bf861b.235
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом N-Channel Single '+/- 25V 15mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF861A,215
- bf861a.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 6.5mA · Корпус: SST3 (SOT-23-3)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF861B,215
- bf861b.215
- NXP Semiconductors
- JFET N-CHAN 25V SOT-23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 15mA · Корпус: SST3 (SOT-23-3)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF556C,215
- bf556c.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 18mA · Корпус: SST3 (SOT-23-3)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF556B,215
- bf556b.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 13mA · Корпус: SST3 (SOT-23-3)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF556A,235
- bf556a.235
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом N-Channel Single '+/- 30V 7mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF556A,215
- bf556a.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 7mA · Корпус: SST3 (SOT-23-3)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF545C,215
- bf545c.215
- NXP Semiconductors
- JFET N-CHAN 30V SOT-23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 25mA · Корпус: SST3 (SOT-23-3)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF545B,215
- bf545b.215
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом N-Channel Single '+/- 30V 2mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF545A,215
- bf545a.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 6.5mA · Корпус: SST3 (SOT-23-3)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF513,215
- bf513.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Номинальное напряжение: 20В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: SST3 (SOT-23-3)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF512,235
- bf512.235
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом N-Channel Single 20V 30mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF512,215
- bf512.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Номинальное напряжение: 20В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: SST3 (SOT-23-3)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF511,215
- bf511.215
- NXP Semiconductors
- JFET N-CHAN 20V SOT-23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Номинальное напряжение: 20В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: SST3 (SOT-23-3)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF510,215
- bf510.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Номинальное напряжение: 20В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: SST3 (SOT-23-3)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 5030W H6327
- bf.5030w.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК