Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
BG 3430R H6327
- bg.3430r.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BG 3130 E6327
- bg.3130.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 24dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Ток - тестовый: 14mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BG 3130R H6327
- bg.3130r.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BG 3130R E6327
- bg.3130r.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363R Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 24dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Ток - тестовый: 14mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BG 3123R H6327
- bg.3123r.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BG 3123R E6327
- bg.3123r.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363R Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 25dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA, 20mA · Коэффициент шума: 1.8dB · Ток - тестовый: 14mA · Напряжение - тестовое: 4V · Корпус: SC-70-6, SC-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BG 3130 H6327
- bg.3130.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BG 3123 H6327
- bg.3123.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 999 E6327
- bf.999.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 45MHz · Усиление: 27dB · Номинальное напряжение: 20В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 2.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: SOT-23
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF998WR,115
- bf998wr.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 200MHz · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 8V · Корпус: SOT-343R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 998R E6327
- bf.998r.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-143 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 45MHz · Усиление: 28dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 2.8dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 8V · Корпус: SOT-143R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF998R,235
- bf998r.235
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Dual N-Channel 12V 30mA 200mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF998R,215
- bf998r.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143R Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 200MHz · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 8V · Корпус: SOT-143R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF998,235
- bf998.235
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Dual N-Channel 12V 30mA 200mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF998,215
- bf998.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 200MHz · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 8V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF994S,215
- bf994s.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 200MHz · Усиление: 25dB · Номинальное напряжение: 20В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: SOT-143, SOT-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF996S,215
- bf996s.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 30MA SOT143B Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 200MHz · Усиление: 25dB · Номинальное напряжение: 20В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: SOT-143, SOT-143B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF992,215
- bf992.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 200MHz · Номинальное напряжение: 20В · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.2dB · Ток - тестовый: 15mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF991,215
- bf991.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 100MHz · Усиление: 29dB · Номинальное напряжение: 20В · Номинал тока: 20mA · Коэффициент шума: 0.7dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: SOT-143, SO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF909WR,135
- bf909wr.135
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Dual N-Channel 7V 40mA 280mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК