Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Высокочастотные полевые транзисторы

Всего товаров: 2232

BLF2425M7L250P,112

  • blf2425m7l250p.112
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 2.4-2.5GHz 65V 12dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G27LS-150GVJ

  • blf8g27ls.150gvj
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G27LS-150VJ

  • blf8g27ls.150vj
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLS7G2730L-200PU

  • bls7g2730l.200pu
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура BLS7G2730L-200P/LDMOST/TUBE-BU

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLS7G2730LS-200PU

  • bls7g2730ls.200pu
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура BLS7G2730LS-200P/LDMOST/TUBE-B

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G22LS-200GVJ

  • blf8g22ls.200gvj
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура BLF8G22LS-200GV/ACC-6L/REEL13

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G27LS-150GVQ

  • blf8g27ls.150gvq
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G22LS-200V,118

  • blf8g22ls.200v.118
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 2.1GHz 65V 20dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G22LS-200GV,12

  • blf8g22ls.200gv.12
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 2.1GHz 65V 20dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G20LS-200V,118

  • blf8g20ls.200v.118
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 1.8-2GHz 65V 17.5dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G22LS-240J

  • blf8g22ls.240j
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF879PS,112

  • blf879ps.112
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура UHF 500W LDMOS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G27LS-140,118

  • blf8g27ls.140.118
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CLF1G0035-100,112

  • clf1g0035.100.112
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Broadband RF power GaN HEMT

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G20LS-400PGVQ

  • blf8g20ls.400pgvq
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF2425M7LS100J

  • blf2425m7ls100j
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF2425M7L100J

  • blf2425m7l100j
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MRF6VP11KGSR5

  • mrf6vp11kgsr5
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ-транзисторы, биполярные VHV6 130MHZ 1000W NI1230

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF2324M8LS200PU

  • blf2324m8ls200pu
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS trans

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF2425M6L180P,112

  • blf2425m6l180p.112
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 2.4-2.5GHz 65V 12dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.

Применение

Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.

Основные сферы их применения включают:

  • Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
  • Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
  • Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
  • Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
  • Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
  • Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
  • Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.

Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.

Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь