Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
BLP15M7160PY
- blp15m7160py
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G27LS-100GVJ
- blf8g27ls.100gvj
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PD85035A-E
- pd85035a.e
- STMicroelectronics
- РЧ транзисторы, МОП-структура Radio Freq LDMO LDMOS 7/12 V HF/VHF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AFT20S015GNR1
- aft20s015gnr1
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AFT20S015NR1
- aft20s015nr1
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура AF 1.8-2.7G 15W TO270-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF644PU
- blf644pu
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G27LS-100GVQ
- blf8g27ls.100gvq
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G22LS-270V,112
- blf8g22ls.270v.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.1GHz 65V 17.7dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF8G24L-200P,112
- blf8g24l.200p.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.35GHz 68V 16.5dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF184XRSU
- blf184xrsu
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS trans
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AFT18HW355SR5
- aft18hw355sr5
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура HV9 1.8GHz 350W NI230S-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF2425M7LS140,112
- blf2425m7ls140.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.4-2.5GHz 65V 12dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF2425M7L140,112
- blf2425m7l140.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.45GHz 65V 17.5dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF2425M8LS140U
- blf2425m8ls140u
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF2425M8L140U
- blf2425m8l140u
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF871S,112
- blf871s.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANSISTOR RF PWR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF8P9040NR1
- mrf8p9040nr1
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура HV8 900MHZ 40W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF8P9040NBR1
- mrf8p9040nbr1
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура HV8 900MHZ 40W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF7G24LS-160P,112
- blf7g24ls.160p.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.35GHz 65V 18.5dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AFT05MP075GNR1
- aft05mp075gnr1
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура MV9 75W 12.5V TO270WB4G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК