Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Высокочастотные полевые транзисторы

Всего товаров: 2232

BLF8G27LS-150VU

  • blf8g27ls.150vu
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

SD4933MR

  • sd4933mr
  • STMicroelectronics
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLL6H1214P2S-250Z

  • bll6h1214p2s.250z
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS L-band radar power module

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AFT05MP075NR1

  • aft05mp075nr1
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура MV9 75W 12.5V TO270WB4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G22LS-200V,112

  • blf8g22ls.200v.112
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 2.1GHz 65V 20dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF25M612,112

  • blf25m612.112
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 2.4-2.5GHz 65V 19dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF25M612G,112

  • blf25m612g.112
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 2.4-2.5GHz 65V 18dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CLF1G0035-50,112

  • clf1g0035.50.112
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Broadband RF power GaN HEMT

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AFT20P060-4NR3

  • aft20p060.4nr3
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура AF1 2GHz 60W OM780-4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G20LS-200V,112

  • blf8g20ls.200v.112
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 1.8-2GHz 65V 17.5dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G20LS-200V,115

  • blf8g20ls.200v.115
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура BLF8G20LS-200V/ACC-6L/REEL7

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PD85006TR-E

  • pd85006tr.e
  • STMicroelectronics
  • РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR Trans LdMOST N-Ch 6W 15dB 870MHz

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G22LS-240U

  • blf8g22ls.240u
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G27LS-140,112

  • blf8g27ls.140.112
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

SD2933-03W

  • sd2933.03w
  • STMicroelectronics
  • РЧ транзисторы, МОП-структура HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLP7G07S-140PY

  • blp7g07s.140py
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF2425M7LS100U

  • blf2425m7ls100u
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF2425M7L100U

  • blf2425m7l100u
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF6H10LS-160,112

  • blf6h10ls.160.112
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 700-1GHz 104V 20dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLD6G21LS-50,112

  • bld6g21ls.50.112
  • NXP Semiconductors
  • МОП-транзистор N-CH 65V 10.2A Trans МОП-транзистор

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.

Применение

Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.

Основные сферы их применения включают:

  • Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
  • Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
  • Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
  • Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
  • Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
  • Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
  • Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.

Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.

Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь