Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
BLF8G27LS-150VU
- blf8g27ls.150vu
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD4933MR
- sd4933mr
- STMicroelectronics
- РЧ транзисторы, МОП-структура 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLL6H1214P2S-250Z
- bll6h1214p2s.250z
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS L-band radar power module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1AFT05MP075NR1
- aft05mp075nr1
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура MV9 75W 12.5V TO270WB4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF8G22LS-200V,112
- blf8g22ls.200v.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.1GHz 65V 20dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF25M612,112
- blf25m612.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.4-2.5GHz 65V 19dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF25M612G,112
- blf25m612g.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.4-2.5GHz 65V 18dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1CLF1G0035-50,112
- clf1g0035.50.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Broadband RF power GaN HEMT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1AFT20P060-4NR3
- aft20p060.4nr3
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура AF1 2GHz 60W OM780-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF8G20LS-200V,112
- blf8g20ls.200v.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 1.8-2GHz 65V 17.5dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF8G20LS-200V,115
- blf8g20ls.200v.115
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура BLF8G20LS-200V/ACC-6L/REEL7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PD85006TR-E
- pd85006tr.e
- STMicroelectronics
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR Trans LdMOST N-Ch 6W 15dB 870MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF8G22LS-240U
- blf8g22ls.240u
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF8G27LS-140,112
- blf8g27ls.140.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD2933-03W
- sd2933.03w
- STMicroelectronics
- РЧ транзисторы, МОП-структура HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLP7G07S-140PY
- blp7g07s.140py
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF2425M7LS100U
- blf2425m7ls100u
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF2425M7L100U
- blf2425m7l100u
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF6H10LS-160,112
- blf6h10ls.160.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 700-1GHz 104V 20dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLD6G21LS-50,112
- bld6g21ls.50.112
- NXP Semiconductors
- МОП-транзистор N-CH 65V 10.2A Trans МОП-транзистор
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК