Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
BLM7G22S-60PBY
- blm7g22s.60pby
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS 2-stage power MMIC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLM7G22S-60PBGY
- blm7g22s.60pbgy
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS 2-stage power MMIC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STAC4933
- stac4933
- STMicroelectronics
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR Trans N-Ch 50V 100MHz FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STAC3933
- stac3933
- STMicroelectronics
- РЧ транзисторы, МОП-структура 350W 29dB 30MHz STAC N-Ch RF FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STAC2943
- stac2943
- STMicroelectronics
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR Trans N-Ch 50V 150MHz FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF640U
- blf640u
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура BLF640/CDIP2/TUBE-BULK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LET9070CB
- let9070cb
- STMicroelectronics
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR Trans LdmoST 28V 70W 16dB 945MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STAC2933
- stac2933
- STMicroelectronics
- РЧ транзисторы, МОП-структура 300W 20dB 30MHz STAC N-Ch MOS RF 150MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AFT18S230SR5
- aft18s230sr5
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура AF 1.8GHZ 230W NI780S-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AFT21S230SR5
- aft21s230sr5
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLP8G10S-45PGY
- blp8g10s.45pgy
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLP8G10S-45PY
- blp8g10s.45py
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF25M612G,118
- blf25m612g.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.4-2.5GHz 65V 18dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLP7G22-05Z
- blp7g22.05z
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 5 W plastic LDMOS power transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLP10H610AZ
- blp10h610az
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Broadband LDMOS driver transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLP10H605AZ
- blp10h605az
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Broadband LDMOS driver transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLP10H603AZ
- blp10h603az
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Broadband LDMOS driver transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LET16045C
- let16045c
- STMicroelectronics
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR Trans LdMOST N-Ch 45W 16dB 1600
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLP7G22-10Z
- blp7g22.10z
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура plastic LDMOS power transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF1217WR,115
- bf1217wr.115
- NXP Semiconductors
- МОП-транзистор N-CH dual gate МОП-транзистор
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК