Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
VRF148A
- vrf148a
- Microsemi-PPG
- MOSFET RF PWR N-CH 50V 30W M113 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 6A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 30Вт · Корпус: M113
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VRF141G
- vrf141g
- MICROSEMI
- M208/RF POWER MOSFET (VDMOS)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMMK-1225-BLKG
- vmmk.1225.blkg
- AVAGO Technologies
- РЧ транзисторы на арсениде галлия LNA FET in Microcap DC-18GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMMK-1225-TR1G
- vmmk.1225.tr1g
- AVAGO Technologies
- РЧ транзисторы на арсениде галлия LNA FET in Microcap DC-18GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMMK-1218-TR1G
- vmmk.1218.tr1g
- AVAGO Technologies
- РЧ транзисторы на арсениде галлия LNA FET in Microcap DC-18GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMMK-1218-BLKG
- vmmk.1218.blkg
- AVAGO Technologies
- РЧ транзисторы на арсениде галлия LNA FET in Microcap DC-18GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UF28150J
- uf28150j
- M/A-COM Technology Solutions
- РЧ транзисторы, МОП-структура 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UF2840G
- uf2840g
- M/A-COM Technology Solutions
- РЧ транзисторы, МОП-структура 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STAC4932B
- stac4932b
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR 1000w/m 26dB N-Ch 123 MHz VHF/UHF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STAC4932F
- stac4932f
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STAC3932F
- stac3932f
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STAC3932B
- stac3932b
- STMicroelectronics
- TRANS RF PWR N-CH 580W STAC244B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 123MHz · Номинальное напряжение: 250V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 100V · P1dB: 580W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STAC2942BW
- stac2942bw
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STAC2942B
- stac2942b
- STMicroelectronics
- TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Номинальное напряжение: 130V · Номинал тока: 40A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 450Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STAC2932B
- stac2932b
- STMicroelectronics
- TRANS RF PWR N-CH 300W STAC244B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 40A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 390W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STAC2942FW
- stac2942fw
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STAC2932BW
- stac2932bw
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SMMBFJ310LT1G
- smmbfj310lt1g
- ON Semiconductor
- JFET SS JFET XSTR SPCL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD57120
- sd57120
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR RF PWR LDMOST M252 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 14A · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 120W · Корпус: M252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD57060-01
- sd57060.01
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR RF PWR LDMOST M250 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт · Корпус: M250
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК