Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
BLF2043,112
- blf2043.112
- NXP Semiconductors
- UHF POWER LDMOS RF-TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF202,115
- blf202.115
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT409A Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 175MHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 20mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 2Вт · Корпус: SOT-409A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF1822-10,112
- blf1822.10.112
- NXP Semiconductors
- SOT467/ UHF POWER LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF1820-90,112
- blf1820.90.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 90Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF178P,112
- blf178p.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR 1200W LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF177CR,112
- blf177cr.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT121B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 108MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 16A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-121B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF177,112
- blf177.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT121B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 108MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 16A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-121B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF175,112
- blf175.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 108MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 30mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 30Вт · Корпус: SOT-123A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF147,112
- blf147.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT121B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 108MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-121B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF145,112
- blf145.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 28MHz · Усиление: 27dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 6A · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 8Вт · Корпус: SOT-123A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF1043,112
- blf1043.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF LDMOS SOT538A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.2A · Ток - тестовый: 85mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 10Вт · Корпус: SOT-538A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF1046,135
- blf1046.135
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANSISTOR UHF PWR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF1046,112
- blf1046.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 4.5A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 45Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF1043,135
- blf1043.135
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANSISTOR UHF PWR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLD6G21L-50,112
- bld6g21l.50.112
- GLENAIR
- SOT1130A/TD-SCDMA 2010 MHz to 2025 MHz fully integrated Dohe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLD6G22LS-50,112
- bld6g22ls.50.112
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLD6G22L-50,112
- bld6g22l.50.112
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLC6G22LS-75,112
- blc6g22ls.75.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Single 65V 18A 0.15Ohms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLC6G27-100,112
- blc6g27.100.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 28V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLC6G27-100,118
- blc6g27.100.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 28V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК