Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
BLF3G22-30,135
- blf3g22.30.135
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF404,115
- blf404.115
- NXP Semiconductors
- N-KANAL HF/VHF power MOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF3G22-30,112
- blf3g22.30.112
- NXP Semiconductors
- UHF power LDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF3G21-6,135
- blf3g21.6.135
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANSISTOR UHF PWR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF3G21-6,112
- blf3g21.6.112
- NXP Semiconductors
- BASESTATION DVR 2.2GHZ SOT538A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.3A · Ток - тестовый: 90mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 6W · Корпус: SOT-538A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF3G21-30,112
- blf3g21.30.112
- NXP Semiconductors
- BASESTATION DVR 2.2GHZ SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 4.5A · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 30Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF368,112
- blf368.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT262A1 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 225MHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 25A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 300Вт · Корпус: SOT-262A1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF346,112
- blf346.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT119A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 224.25MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: SOT-119A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF278,112
- blf278.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT262A1 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 108MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 300Вт · Корпус: SOT-262A1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF278/01,112
- blf278.01.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANSISTOR VHF PWR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF248,112
- blf248.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT262A1 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 225MHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 300Вт · Корпус: SOT-262A1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF246B,112
- blf246b.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT161A Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 175MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт · Корпус: SOT-161A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF246,112
- blf246.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANSISTOR VHF PWR DMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF245B,112
- blf245b.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT279A Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 175MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 4.5A · Ток - тестовый: 25mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: SOT-279A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF245,112
- blf245.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 6A · Коэффициент шума: 2dB · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: SOT-123A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF242,112
- blf242.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 5Вт · Корпус: SOT-123A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF244,112
- blf244.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 3A · Ток - тестовый: 25mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 15Вт · Корпус: SOT-123A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF2045,112
- blf2045.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 4.5A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 30Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF2043F,135
- blf2043f.135
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.2A · Ток - тестовый: 85mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 10Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF2043F,112
- blf2043f.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.2A · Ток - тестовый: 85mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 10Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК