Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
BLA6H1011-600,112
- bla6h1011.600.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANS AVIONICS PWR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLA6H0912-500,112
- bla6h0912.500.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANS RADAR PWR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLA6G1011L-200RG,1
- bla6g1011l.200rg.1
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLA6G1011-200R,112
- bla6g1011.200r.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANS PWR LDMOS 200W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLA6G1011LS-200RG,
- bla6g1011ls.200rg
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLA1011S-200R,112
- bla1011s.200r.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANS LDMOS NCH 75V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLA1011-200R,112
- bla1011.200r.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANS LDMOS NCH 75V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLA1011-300,112
- bla1011.300.112
- NXP Semiconductors
- TRANS LDMOS NCH 75V SOT957A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 300Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT957A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLA1011S-200,112
- bla1011s.200.112
- NXP Semiconductors
- TRANS LDMOS NCH 75V SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.03GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 200Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLA1011-2,112
- bla1011.2.112
- NXP Semiconductors
- TRANS LDMOS NCH 75V SOT538A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 2.2A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 2Вт · Корпус: SOT-538A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLA1011-200,112
- bla1011.200.112
- NXP Semiconductors
- TRANS LDMOS NCH 75V SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.03GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 200Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLA0912-250R,112
- bla0912.250r.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANS LDMOS NCH 75V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLA1011-10,112
- bla1011.10.112
- NXP Semiconductors
- TRANS LDMOS NCH 75V SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 2.2A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 10Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLA0912-250,112
- bla0912.250.112
- NXP Semiconductors
- TRANS LDMOS NCH 75V SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz ~ 1.22GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 1µA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 250Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BG 5412K H6327
- bg.5412k.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BG 5412K E6327
- bg.5412k.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 24dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BG 5130R E6327
- bg.5130r.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363R Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 24dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 3V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BG 5120K H6327
- bg.5120k.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BG 5120K E6327
- bg.5120k.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 23dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 20mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BG 3430R E6327
- bg.3430r.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 25dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Ток - тестовый: 14mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК