Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDS4070N3
- fds4070n3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 15.3A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 15.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS3692
- fds3692
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 4.5A SO-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 746p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS3682
- fds3682
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS3170N7
- fds3170n7
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 27
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS3680
- fds3680
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 5.2A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 5.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 17
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDR838P
- fdr838p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3300pF @ 10V · FET Polarity: P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS3670
- fds3670
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 24
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS3672
- fds3672
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS3580
- fds3580
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS3612
- fds3612
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 63
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS3590
- fds3590
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1180p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS3572
- fds3572
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1990p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDR842P
- fdr842p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 11A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5350pF @ 6V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS3570
- fds3570
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 76nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2750pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS3512
- fds3512
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 634pF @ 40V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS2734
- fds2734
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2610pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS2672
- fds2672
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2535p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS2670
- fds2670
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 3A SO-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1228pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDR4420A
- fdr4420a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 11A SSOT-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2560pF @ 15V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS2582
- fds2582
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 4.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 129
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК