Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDS2572
- fds2572
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 4.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS2170N3
- fds2170n3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1292pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS2170N7
- fds2170n7
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1292pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS2070N7
- fds2070n7
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 4.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 18
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS2070N3
- fds2070n3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 4.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 18
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP8880
- fdp8880
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 124
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP8874
- fdp8874
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 114A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 114A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 31
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP8860
- fdp8860
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 222nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 122
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDR858P
- fdr858p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2010pF @ 15V · FET Polarity: P-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDR844P
- fdr844p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 10A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 74nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4951pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDR840P
- fdr840p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4481pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDR6674A
- fdr6674a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDR6580
- fdr6580
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 11.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDPF12N50T
- fdpf12n50t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1315p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDPF7N50U
- fdpf7n50u
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDPF7N50
- fdpf7n50
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDPF79N15
- fdpf79n15
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 79A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 39.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 79A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3410pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDPF5N50T
- fdpf5n50t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDPF5N50FT
- fdpf5n50ft
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDPF51N25
- fdpf51n25
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 25.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 51A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3410pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК