Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDPF52N20T
- fdpf52n20t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 52A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF12N50FT
- fdpf12n50ft
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 6A,10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1395pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF39N20
- fdpf39n20
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 39A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 19.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 39A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2130pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF33N25T
- fdpf33n25t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 33A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2135pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF320N06L
- fdpf320n06l
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF2710T
- fdpf2710t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 25A TO-220F Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 101nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF20N50T
- fdpf20n50t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3120pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF20N50
- fdpf20n50
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3120pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF18N50T
- fdpf18n50t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2860pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF18N50
- fdpf18n50
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2860pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF16N50T
- fdpf16n50t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 16A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1945pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF16N50
- fdpf16n50
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 16A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1945pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF14N30
- fdpf14n30
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 300V 14A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1060pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF15N65
- fdpf15n65
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3095pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP8441
- fdp8441
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP80N06
- fdp80n06
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 74nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3190pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF13N50FT
- fdpf13n50ft
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1930pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP8030L
- fdp8030l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 80A TO220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP7N50
- fdp7n50
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 7A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF12N35
- fdpf12n35
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 350V 12A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 350V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1110pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК