Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDP8896
- fdp8896
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 92A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 92A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2525
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP5690
- fdp5690
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 32A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1120pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP8443
- fdp8443
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 931
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP3632
- fdp3632
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP8870
- fdp8870
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 132nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 156A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP8447L
- fdp8447l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 12A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP2552
- fdp2552
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 37A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP2532
- fdp2532
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 79A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 79A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 58
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP8442
- fdp8442
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 235nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 122
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP24N40
- fdp24n40
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 400V 24A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3020pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP22N50N
- fdp22n50n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 22A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP79N15
- fdp79n15
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 79A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 39.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 79A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3410pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP75N08A
- fdp75n08a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 75A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 104nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4468pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP75N08
- fdp75n08
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 75A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 104nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4468pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP7030L
- fdp7030l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2440pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP7030BL
- fdp7030bl
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 60A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1760pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP6670AL
- fdp6670al
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2440pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP65N06
- fdp65n06
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 65A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 32.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2170pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP61N20
- fdp61n20
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 61A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 30.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3380pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP6035AL
- fdp6035al
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 48A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК