Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDP6030L
- fdp6030l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 48A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP6030BL
- fdp6030bl
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 40A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1160pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP5800
- fdp5800
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 14A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 145nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9160pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP42AN15A0
- fdp42an15a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 215
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP5680
- fdp5680
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 40A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP5645
- fdp5645
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4468p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP52N20
- fdp52n20
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 52A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP51N25
- fdp51n25
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 51A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 25.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 51A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3410pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP24AN06LA0
- fdp24an06la0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP4020P
- fdp4020p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 665pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP39N20
- fdp39n20
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 39A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 19.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 39A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2130pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP3682
- fdp3682
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 32A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 125
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP3672
- fdp3672
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 105V 41A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 41A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 105V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 167
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP3652
- fdp3652
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 61A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 288
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN372S
- fdn372s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.1nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP3651U
- fdp3651u
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 69nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 552
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN371N
- fdn371n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN361BN
- fdn361bn
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 19
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN360P
- fdn360p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 298pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP33N25
- fdp33n25
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 33A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2135pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК