Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDP2710
- fdp2710
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 50A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 101nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 72
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP2670
- fdp2670
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP2614
- fdp2614
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 62A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 99nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7230p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP2572
- fdp2572
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 29A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1770
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP2570
- fdp2570
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 22A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 191
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP20N50
- fdp20n50
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3120pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP20AN06A0
- fdp20an06a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP16AN08A0
- fdp16an08a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 58A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1857p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP18N50
- fdp18n50
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 18A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2860pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP16N50
- fdp16n50
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 16A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1945pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP15N50
- fdp15n50
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 15A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP14AN06LA0
- fdp14an06la0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 67A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 67A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 67A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP15N65
- fdp15n65
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 650V 15A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3095pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP13AN06A0
- fdp13an06a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 62A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 135
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP12N50
- fdp12n50
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1315pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP10AN06A0
- fdp10an06a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 184
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP070AN06A0
- fdp070an06a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP120AN15A0
- fdp120an15a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 14A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP060AN08A0
- fdp060an08a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5150pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК