Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDP047AN08A0
- fdp047an08a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 138nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 660
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP050AN06A0
- fdp050an06a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3900pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN361AN
- fdn361an
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 220pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP038AN06A0
- fdp038an06a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 124nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN359BN
- fdn359bn
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN5630
- fdn5630
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN5618P
- fdn5618p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS8660AS
- fdms8660as
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 28A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 83nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5865p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS86101
- fdms86101
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS8460
- fdms8460
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 25A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7205
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS7670
- fdms7670
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 21A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4105p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN359AN
- fdn359an
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 480pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN357N
- fdn357n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 235pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN358P
- fdn358p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 182
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN352AP
- fdn352ap
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN342P
- fdn342p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 635pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS7650
- fdms7650
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN339AN
- fdn339an
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN338P
- fdn338p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 1.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN337N
- fdn337n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК