Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDN336P-NL
- fdn336p.nl
- Fairchild Semiconductor, GLENAIR
- MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 33
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN336P
- fdn336p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 330
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN335N
- fdn335n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN308P
- fdn308p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN327N
- fdn327n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 423pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMJ1027P
- fdmj1027p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN306P
- fdn306p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 113
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN304PZ
- fdn304pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 2.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN304P
- fdn304p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 2.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 131
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDN302P
- fdn302p
- Fairchild Semiconductor, Fairchild
- MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 882
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS8880
- fdms8880
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS8692
- fdms8692
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 12A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1265pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS8690
- fdms8690
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 14A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1680pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS8680
- fdms8680
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 14A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1590pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS8674
- fdms8674
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 17A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2320pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS8672S
- fdms8672s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 17A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2515pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS8672AS
- fdms8672as
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 18A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS8670S
- fdms8670s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 20A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS8670AS
- fdms8670as
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 23A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 23A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3615pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS8670
- fdms8670
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 24A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3940p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК