Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDMS8662
- fdms8662
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 28A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6420pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS8660S
- fdms8660s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 25A MLP 5X6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 113nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4345
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS7660
- fdms7660
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 25A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5565p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS7672
- fdms7672
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 19A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2960pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS5672
- fdms5672
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 10.6A POWER56 Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 10.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS2672
- fdms2672
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56 Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2315
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS2572
- fdms2572
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 4.5A POWER56 Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2610
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS3572
- fdms3572
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56 Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 8.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2490
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS3662
- fdms3662
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8 mOhm @ 8.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS3672
- fdms3672
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8 Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 26
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS2734
- fdms2734
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56 Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 236
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC8854
- fdmc8854
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 15A POWER33 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3405p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC8678S
- fdmc8678s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 15A POWER33 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2075p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC8296
- fdmc8296
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 12A POWER33 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1385pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC8878
- fdmc8878
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 123
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC8676
- fdmc8676
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 16A POWER33 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 14.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 193
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC8554
- fdmc8554
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC6675BZ
- fdmc6675bz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК