Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDMC5614P
- fdmc5614p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 5.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC2674
- fdmc2674
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 220V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1180pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC2610
- fdmc2610
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 960
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC2523P
- fdmc2523p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 270pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMB668P
- fdmb668p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMB506P
- fdmb506p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA430NZ
- fdma430nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 5A MICROFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA520PZ
- fdma520pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 16
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA530PZ
- fdma530pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1070
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA510PZ
- fdma510pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA420NZ
- fdma420nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 5.7A MICROFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA291P
- fdma291p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 6.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDM606P
- fdm606p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDM6296
- fdm6296
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 11.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDM3622
- fdm3622
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 4.4A POWER33 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDM21-05QC
- fdm21.05qc
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounti
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDM100-0045SP
- fdm100.0045sp
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mount
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDJ129P_F077
- fdj129p.f077
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT-23 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDJ129P
- fdj129p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDJ128N_F077
- fdj128n.f077
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 543pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК