Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDJ128N
- fdj128n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 543pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDJ127P
- fdj127p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 78
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDI8442
- fdi8442
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 80A TO-262 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 235nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12200
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDI3652
- fdi3652
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 61A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 288
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDI8441
- fdi8441
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDI3632
- fdi3632
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDI33N25TU
- fdi33n25tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2135pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDI2532
- fdi2532
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 79A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 58
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDI038AN06A0
- fdi038an06a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 124nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDI047AN08A0
- fdi047an08a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 138nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 660
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDH50N50
- fdh50n50
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 48A TO-247 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 137nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6460pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDH44N50
- fdh44n50
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 108nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5335pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDH3632
- fdh3632
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDH27N50
- fdh27n50
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 27A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3550pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDH038AN08A1
- fdh038an08a1
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8665p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDH047AN08A0
- fdh047an08a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 138nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6600p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDH15N50
- fdh15n50
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 15A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG361N
- fdg361n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 600mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 600mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG332PZ
- fdg332pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG328P
- fdg328p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 33
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК