Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FDG329N

FDG329N

  • fdg329n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDG330P

FDG330P

  • fdg330p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 477pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDG327NZ

FDG327NZ

  • fdg327nz
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 412

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDG326P

FDG326P

  • fdg326p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 46

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDG327N

FDG327N

  • fdg327n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDG316P

FDG316P

  • fdg316p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 1.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 165p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDG313N_D87Z

FDG313N_D87Z

  • fdg313n.d87z
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 950mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V · FET Po

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDG314P

FDG314P

  • fdg314p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 650mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 63pF @ 10V · FET Pol

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDG315N

FDG315N

  • fdg315n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 220pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDG311N

FDG311N

  • fdg311n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 1.9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDG312P

FDG312P

  • fdg312p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 33

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDG313N

FDG313N

  • fdg313n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 950mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V · FET Po

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFS6N754

FDFS6N754

  • fdfs6n754
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 299pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFS6N548

FDFS6N548

  • fdfs6n548
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFS2P753AZ

FDFS2P753AZ

  • fdfs2p753az
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 3A SO-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 455pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFS6N303

FDFS6N303

  • fdfs6n303
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 15V · FET Polarity: N-Ch

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFS2P753Z

FDFS2P753Z

  • fdfs2p753z
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 455pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFS2P106A

FDFS2P106A

  • fdfs2p106a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 714pF @ 3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFS2P103A

FDFS2P103A

  • fdfs2p103a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 535pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFS2P103

FDFS2P103

  • fdfs2p103
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 528pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь