Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FDFS2P102A

FDFS2P102A

  • fdfs2p102a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 182pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFMA3N109

FDFMA3N109

  • fdfma3n109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFS2P102

FDFS2P102

  • fdfs2p102
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 270pF @ 10V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFMA2P857

FDFMA2P857

  • fdfma2p857
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 435

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFMA2P853

FDFMA2P853

  • fdfma2p853
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 435pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFMA2P029Z

FDFMA2P029Z

  • fdfma2p029z
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 72

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFMA2N028Z

FDFMA2N028Z

  • fdfma2n028z
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 455

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFM2P110

FDFM2P110

  • fdfm2p110
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFM2N111

FDFM2N111

  • fdfm2n111
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 273pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFC3N108

FDFC3N108

  • fdfc3n108
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 355pF @ 10V · FET Polarity: N

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDFC2P100

FDFC2P100

  • fdfc2p100
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 3A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 445pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8896

FDD8896

  • fdd8896
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 94A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 94A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2525pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8882

FDD8882

  • fdd8882
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1260pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8880

FDD8880

  • fdd8880
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 58A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1260pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8876

FDD8876

  • fdd8876
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8878

FDD8878

  • fdd8878
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 40A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8874

FDD8874

  • fdd8874
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2990p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8870

FDD8870

  • fdd8870
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 118nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5160

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8782

FDD8782

  • fdd8782
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 35A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1220pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8586

FDD8586

  • fdd8586
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 35A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2480pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь