Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FDD8770

FDD8770

  • fdd8770
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 35A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3720pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8647L

FDD8647L

  • fdd8647l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 14A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1640pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8780

FDD8780

  • fdd8780
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1440

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8778

FDD8778

  • fdd8778
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 35A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 845pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8750

FDD8750

  • fdd8750
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 6.5A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 425pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8451

FDD8451

  • fdd8451
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 9A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 990pF @ 20V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8453LZ

FDD8453LZ

  • fdd8453lz
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3515

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8580

FDD8580

  • fdd8580
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 35A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1445pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8447L

FDD8447L

  • fdd8447l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1970

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD7N20TM

FDD7N20TM

  • fdd7n20tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD7030BL

FDD7030BL

  • fdd7030bl
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 14A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1425pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6N50TF

FDD6N50TF

  • fdd6n50tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 6A DPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6N50TM

FDD6N50TM

  • fdd6n50tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 6A DPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8444L

FDD8444L

  • fdd8444l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 50A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5530pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6N50FTM

FDD6N50FTM

  • fdd6n50ftm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 Ohm @ 2.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 960pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8445

FDD8445

  • fdd8445
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 70A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4050pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8444

FDD8444

  • fdd8444
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 145A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 116nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 145A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6195p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6N25TM

FDD6N25TM

  • fdd6n25tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6690A

FDD6690A

  • fdd6690a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 12A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1230pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6N25TF

FDD6N25TF

  • fdd6n25tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь