Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FDD6N50FTF

FDD6N50FTF

  • fdd6n50ftf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 Ohm @ 2.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 960pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6N20TF

FDD6N20TF

  • fdd6n20tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6696

FDD6696

  • fdd6696
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1715pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6688S

FDD6688S

  • fdd6688s
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 88A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 18.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 81nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 88A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6688

FDD6688

  • fdd6688
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 84A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3845pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6680

FDD6680

  • fdd6680
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 12A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1230pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6682

FDD6682

  • fdd6682
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 75A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6685

FDD6685

  • fdd6685
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 11A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1715pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6680A

FDD6680A

  • fdd6680a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 14A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1425pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6680AS

FDD6680AS

  • fdd6680as
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 55A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 15V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6676AS

FDD6676AS

  • fdd6676as
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 90A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6672A

FDD6672A

  • fdd6672a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 65A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5070pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6670A

FDD6670A

  • fdd6670a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 15A TO-252 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1755pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6670AS

FDD6670AS

  • fdd6670as
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 76A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 76A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1580pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6670AL

FDD6670AL

  • fdd6670al
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 84A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3845pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6637

FDD6637

  • fdd6637
  • Fairchild Semiconductor, Fairchild
  • MOSFET P-CH 35V 13A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 35V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2370pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6635

FDD6635

  • fdd6635
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 35V 15A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 35V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6632

FDD6632

  • fdd6632
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 9A D-PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 255pF @ 15V · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6612A

FDD6612A

  • fdd6612a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 9.5A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 660pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6630A

FDD6630A

  • fdd6630a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 7.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 462pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь