Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FDD6606

FDD6606

  • fdd6606
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6512A

FDD6512A

  • fdd6512a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6296

FDD6296

  • fdd6296
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 15A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1440p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6530A

FDD6530A

  • fdd6530a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 710pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD6030L

FDD6030L

  • fdd6030l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 12A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1230pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD5810

FDD5810

  • fdd5810
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 37A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 32A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1890pF @ 25V · FET Polarity: N-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD5690

FDD5690

  • fdd5690
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1110pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDC655AN

FDC655AN

  • fdc655an
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD5680

FDD5680

  • fdd5680
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1835p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD5670

FDD5670

  • fdd5670
  • Fairchild Semiconductor, Fairchild
  • MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2739pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD5612

FDD5612

  • fdd5612
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 5.4A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 660pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD5614P

FDD5614P

  • fdd5614p
  • Fairchild Semiconductor, Fairchild
  • MOSFET P-CH 60V 15A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 759pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD4243

FDD4243

  • fdd4243
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 6.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1550pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD45AN06LA0

FDD45AN06LA0

  • fdd45an06la0
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 25A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD4141

FDD4141

  • fdd4141
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 12.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD4685

FDD4685

  • fdd4685
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2380pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD3N40TM

FDD3N40TM

  • fdd3n40tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 2A DPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 225pF @ 25V · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD3N40TF

FDD3N40TF

  • fdd3n40tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 2A DPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 225pF @ 25V · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD3706

FDD3706

  • fdd3706
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 16.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 18

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD3690

FDD3690

  • fdd3690
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 5.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1514p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь