Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDD3682
- fdd3682
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 32A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD3680
- fdd3680
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 6.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1735p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD3672
- fdd3672
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1710pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD3570
- fdd3570
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 76nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD3670
- fdd3670
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 7.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2490p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD3580
- fdd3580
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1760p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD26AN06A0
- fdd26an06a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 36A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 36A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD2670
- fdd2670
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD306P
- fdd306p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 6.7A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 129
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD2612
- fdd2612
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 23
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD2582
- fdd2582
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 21A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1295pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD2572
- fdd2572
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 29A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1770pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD2570
- fdd2570
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 4.7A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 190
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD2512
- fdd2512
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 34
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD24AN06LA0
- fdd24an06la0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 40A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD20AN06A0
- fdd20an06a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD16AN08A0_F085
- fdd16an08a0.f085
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD16AN08A0
- fdd16an08a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1874pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD13AN06A0
- fdd13an06a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD14AN06LA0
- fdd14an06la0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2810pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК