Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDD120AN15A0
- fdd120an15a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 14A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 770p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD107AN06LA0
- fdd107an06la0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91 mOhm @ 10.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 36
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD10AN06A0
- fdd10an06a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1840pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD044AN03L
- fdd044an03l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 118nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5160pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD068AN03L
- fdd068an03l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2525pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC796N_F077
- fdc796n.f077
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 12.5A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 144
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC699P
- fdc699p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 7A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2640pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC796N
- fdc796n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 12.5A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 144
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC699P_F077
- fdc699p.f077
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 7A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2640pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC697P_F077
- fdc697p.f077
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3524pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC658P
- fdc658p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC697P
- fdc697p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 8A 6-SSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3524pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC658AP
- fdc658ap
- Fairchild Optoelectronics Grou
- MOSFET P-CH SGL LL 30V 4A SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.1nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC655BN
- fdc655bn
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 570p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC645N
- fdc645n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 146
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC654P
- fdc654p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 298pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC653N
- fdc653n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 15V · FET Polarity: N-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC642P
- fdc642p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC640P
- fdc640p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 89
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC638APZ
- fdc638apz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК