Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDC6392S
- fdc6392s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC637AN
- fdc637an
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC638P
- fdc638p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC636P
- fdc636p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6 Тип: High Side Switch · Число выходов: 1 · Rds (On): 130 mOhm · Внутренняя коммутация: Да · Ограничение тока: 2.8A · Рабочая температура: -55°C ~ 150°C · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC637BNZ
- fdc637bnz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 89
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC634P
- fdc634p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 77
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC633N
- fdc633n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 5.2A SSOT-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 538pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC608PZ
- fdc608pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC604P
- fdc604p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 19
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC610PZ
- fdc610pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 4.9A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1005
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC602P
- fdc602p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC606P
- fdc606p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1699pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC5614P
- fdc5614p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 759pF @ 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC5612
- fdc5612
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC3616N
- fdc3616n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 3.7A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC365P
- fdc365p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 35V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 705p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC3512
- fdc3512
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 3A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 634pF @ 40
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC3612
- fdc3612
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC2612
- fdc2612
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725 mOhm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC2512
- fdc2512
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 1.4A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425 mOhm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК