Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FDB8896

FDB8896

  • fdb8896
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 93A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2525

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB8880

FDB8880

  • fdb8880
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 124

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB8874

FDB8874

  • fdb8874
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 121A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 31

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB8870

FDB8870

  • fdb8870
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 160A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 132nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB8860

FDB8860

  • fdb8860
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 214nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12585p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB8447L

FDB8447L

  • fdb8447l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2620pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB8453LZ

FDB8453LZ

  • fdb8453lz
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 16.1A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 17.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB8832

FDB8832

  • fdb8832
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 265nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11400p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB8445

FDB8445

  • fdb8445
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3805pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB8444TS

FDB8444TS

  • fdb8444ts
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 338nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8410pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB8444

FDB8444

  • fdb8444
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 128nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 803

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB8442

FDB8442

  • fdb8442
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 235nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12200p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB8443

FDB8443

  • fdb8443
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 931

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB8030L

FDB8030L

  • fdb8030l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10500pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB8441

FDB8441

  • fdb8441
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 15000p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB7030L_L86Z

FDB7030L_L86Z

  • fdb7030l.l86z
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2440pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB7030L

FDB7030L

  • fdb7030l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2440pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB7030BL

FDB7030BL

  • fdb7030bl
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1760pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB6690S

FDB6690S

  • fdb6690s
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1238

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB6670AS

FDB6670AS

  • fdb6670as
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 15V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1570

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь