Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FDB6670AL

FDB6670AL

  • fdb6670al
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2440pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB6030L

FDB6030L

  • fdb6030l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB6030BL

FDB6030BL

  • fdb6030bl
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1160pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB5800

FDB5800

  • fdb5800
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6625pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB6021P

FDB6021P

  • fdb6021p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 14A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 189

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB5690

FDB5690

  • fdb5690
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1120p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB5645

FDB5645

  • fdb5645
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 446

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB44N25TM

FDB44N25TM

  • fdb44n25tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 61nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2870pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB52N20TM

FDB52N20TM

  • fdb52n20tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB42AN15A0

FDB42AN15A0

  • fdb42an15a0
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 215

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB4020P

FDB4020P

  • fdb4020p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 16A TO-263AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 665pF @ 10V · FET Polarity

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB3682

FDB3682

  • fdb3682
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 32A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 32A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 125

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB3672

FDB3672

  • fdb3672
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1710pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB3652

FDB3652

  • fdb3652
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 61A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 288

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB3632

FDB3632

  • fdb3632
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB33N25TM

FDB33N25TM

  • fdb33n25tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2135pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB28N30TM

FDB28N30TM

  • fdb28n30tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB2710

FDB2710

  • fdb2710
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 101nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 728

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB2670

FDB2670

  • fdb2670
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDB2614

FDB2614

  • fdb2614
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 99nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7230pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь