Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SIR470DP-T1-GE3
- sir470dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5660pF @ 20V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR468DP-T1-GE3
- sir468dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1720pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR466DP-T1-GE3
- sir466dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2730pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR440DP-T1-GE3
- sir440dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 60A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR402DP-T1-GE3
- sir402dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF @ 15V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIB800EDK-T1-GE3
- sib800edk.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Diode (Isolated
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIB452DK-T1-GE3
- sib452dk.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 190V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 135pF @ 50V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIB419DK-T1-GE3
- sib419dk.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.82nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 562pF @ 6V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIB417EDK-T1-GE3
- sib417edk.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 5.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 565pF @ 4V · FET Polarity: P-Cha
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIB417DK-T1-GE3
- sib417dk.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.75nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 675pF @ 4V · FET Polarity: P-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIB413DK-T1-GE3
- sib413dk.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.63nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 357pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIB412DK-T1-GE3
- sib412dk.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.16nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 535pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA814DJ-T1-GE3
- sia814dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 340pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA813DJ-T1-GE3
- sia813dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 355pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA811DJ-T1-GE3
- sia811dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 355pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA810DJ-T1-GE3
- sia810dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA456DJ-T1-GE3
- sia456dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38 Ohm @ 750mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 100V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA450DJ-T1-GE3
- sia450dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 240V 10A SC70-6 Drain to Source Voltage (Vdss): 240V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: PowerPAK SC-70-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA443DJ-T1-GE3
- sia443dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 10V · FET Polarity: P-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA432DJ-T1-GE3
- sia432dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 15V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК