Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NTHD3133PFT3G
- nthd3133pft3g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH SGL 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGS3447PT1G
- ntgs3447pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 3.4A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1053pF @ 6V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGS3443BT1G
- ntgs3443bt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 819pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGS3441BT1G
- ntgs3441bt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGS1135PT1G
- ntgs1135pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 6V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGD4169FT1G
- ntgd4169ft1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 295pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGD3147FT1G
- ntgd3147ft1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTF2955PT1G
- ntf2955pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 750mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 492pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD6600N-1G
- ntd6600n.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 12A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4865N-35G
- ntd4865n.35g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 827pF @ 12V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4865N-1G
- ntd4865n.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 827pF @ 12V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4863NA-1G
- ntd4863na.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 990pF @ 12V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4863N-1G
- ntd4863n.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 990pF @ 12V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4860N-35G
- ntd4860n.35g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1308pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4860N-1G
- ntd4860n.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1308pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4858NAT4G
- ntd4858nat4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1563pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4858NA-1G
- ntd4858na.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1563pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4858N-1G
- ntd4858n.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1563pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4857N-35G
- ntd4857n.35g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 12A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1960pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4857N-1G
- ntd4857n.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 12A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1960pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК