Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NTD4856N-35G
- ntd4856n.35g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2241pF @ 12V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4856N-1G
- ntd4856n.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2241pF @ 12V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4855N-35G
- ntd4855n.35g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 14A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2950pF @ 12V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4855N-1G
- ntd4855n.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 14A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2950pF @ 12V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4854N-35G
- ntd4854n.35g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 15.7A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4600pf @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4854N-1G
- ntd4854n.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 15.7A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4600pf @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4815NH-1G
- ntd4815nh.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 845pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4813NH-1G
- ntd4813nh.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4810NH-1G
- ntd4810nh.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1225pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4809NH-1G
- ntd4809nh.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 9A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2155pF @ 12V · FET Polarity: N-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4809NAT4G
- ntd4809nat4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 9A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1456pF @ 12V · FET Polarity: N-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4804NAT4G
- ntd4804nat4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4490pF @ 12V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD3817NT4G
- ntd3817nt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 16V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 702pF @ 12V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD3817N-35G
- ntd3817n.35g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 16V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 702pF @ 12V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD3817N-1G
- ntd3817n.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 16V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 702pF @ 12V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD3813NT4G
- ntd3813nt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 16V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 963pF @ 12V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD3813N-35G
- ntd3813n.35g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 16V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 963pF @ 12V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD3813N-1G
- ntd3813n.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 16V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 963pF @ 12V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD3808NT4G
- ntd3808nt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 16V 12A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 16V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1660pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD3808N-35G
- ntd3808n.35g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 16V 12A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 16V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1660pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК