Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NTD3808N-1G
- ntd3808n.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 16V 12A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 16V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1660pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB5605T4G
- ntb5605t4g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 8.5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1190pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB5426NT4G
- ntb5426nt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5800pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS7002A_NB9GGTXA
- nds7002a.nb9ggtxa
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MTMF82310BBF
- mtmf82310bbf
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 30V 18A S08 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MTM982400BBF
- mtm982400bbf
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 40V 7A SO8-F1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1750pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Powe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MTM981400BBF
- mtm981400bbf
- Panasonic - SSG
- MOSFET P-CH 40V 7A S08 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MTM867270LBF
- mtm867270lbf
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MTM862270LBF
- mtm862270lbf
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MTM861280LBF
- mtm861280lbf
- Panasonic - SSG
- MOSFET P-CH 20V 1A WSSMINI6-F1 Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: WSMini6-F1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MTM861270LBF
- mtm861270lbf
- Panasonic - SSG
- MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Pow
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MTM861240LBF
- mtm861240lbf
- Panasonic - SSG
- MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6-F1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MTM761230LBF
- mtm761230lbf
- Panasonic - SSG
- MOSFET P-CH 20V 3A WSMINI6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 1A, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Powe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MTM761100LBF
- mtm761100lbf
- Panasonic - SSG
- MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 1A, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Powe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIC94053BC6 TR
- mic94053bc6.tr
- Micrel Inc
- MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 6V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 270mW · Mounting Type: Surface Mount
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIC94052BC6 TR
- mic94052bc6.tr
- Micrel Inc
- MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 6V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 270mW · Mounting Type: Surface Mount
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIC94051YM4 TR
- mic94051ym4.tr
- Micrel Inc
- IC MOSFET P-CHAN 8-MSOP Серия: SymFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 6V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 5.5V · FET Polarity: P-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIC94051BM4 TR
- mic94051bm4.tr
- Micrel Inc
- IC MOSFET P-CHAN 8-MSOP Серия: SymFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 6V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 5.5V · FET Polarity: P-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIC94050BM4 TR
- mic94050bm4.tr
- Micrel Inc
- MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143 Серия: SymFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 6V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 5.5V · FET Polarity: P-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCH6429-TL-E
- mch6429.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 20V 6A MCPH6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 4V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 10V · FET Polarity: N-Chan
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК