Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для MCH6412-TL-E

MCH6412-TL-E

  • mch6412.tl.e
  • SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
  • MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 3A, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790pF @ 10V · FET Polarity: N-Channe

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MCH6337-TL-E

MCH6337-TL-E

  • mch6337.tl.e
  • SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
  • MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 10V · FET Polarity

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MCH5837-TL-E

MCH5837-TL-E

  • mch5837.tl.e
  • SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
  • MOSFET N-CH/DIODE SCHOTTKY MCPH5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 1A, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 115pF @ 10V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MCH3427-TL-E

MCH3427-TL-E

  • mch3427.tl.e
  • SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
  • MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 2A, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 10V · FET Polarity: N-Channe

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MCH3421-TL-E

MCH3421-TL-E

  • mch3421.tl.e
  • SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
  • MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 890 mOhm @ 400mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 800mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 165pF @ 20V · FET Pol

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXUV170N075S

IXUV170N075S

  • ixuv170n075s
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220-S Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 300W · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: PLUS-220SMD

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXUV170N075

IXUV170N075

  • ixuv170n075
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220 Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 300W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: PLUS-220

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXUC200N055

IXUC200N055

  • ixuc200n055
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXUC160N075

IXUC160N075

  • ixuc160n075
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Po

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXUC100N055

IXUC100N055

  • ixuc100n055
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 55V 100A ISOPLUS-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Po

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTY64N055T

IXTY64N055T

  • ixty64n055t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 55V 64A TO-252 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 64A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1420pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTY5N50P

IXTY5N50P

  • ixty5n50p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252AA Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTY55N075T

IXTY55N075T

  • ixty55n075t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 75V 55A TO-252 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTY50N085T

IXTY50N085T

  • ixty50n085t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 85V 50A TO-252 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1460pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTY44N10T

IXTY44N10T

  • ixty44n10t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 44A TO-252 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1262pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTY2N80P

IXTY2N80P

  • ixty2n80p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 440pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTY2N100P

IXTY2N100P

  • ixty2n100p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTY24N15T

IXTY24N15T

  • ixty24n15t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 24A TO-252 Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTY1R6N50D2

IXTY1R6N50D2

  • ixty1r6n50d2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 800mA, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 645pF @ 25V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2

  • ixty1r6n100d2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 800mA, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 645pF @ 25V · FET Po

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь