Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXTY1R4N120P
- ixty1r4n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY1R4N100P
- ixty1r4n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY1N120P
- ixty1n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY1N100P
- ixty1n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 33
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY15N20T
- ixty15n20t
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 15A TO-252 Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY12N06T
- ixty12n06t
- IXYS
- MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 256pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY08N50D2
- ixty08n50d2
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 Ohm @ 400mA, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 800mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 312pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY08N120P
- ixty08n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY08N100P
- ixty08n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 800mA · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY08N100D2
- ixty08n100d2
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 Ohm @ 400mA, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 800mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 325pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY06N120P
- ixty06n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY02N50D
- ixty02n50d
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 200MA DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 50mA, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Depletion
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY01N80
- ixty01n80
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY01N100D
- ixty01n100d
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 Ohm @ 50mA, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY01N100
- ixty01n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 100MA DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 100mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 54pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTX90P20P
- ixtx90p20p
- IXYS
- MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 205nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTX90N25L2
- ixtx90n25l2
- IXYS
- MOSFET N-CH 90A 250V PLUS247 Серия: Linear L2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 640nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTX60N50L2
- ixtx60n50l2
- IXYS
- MOSFET N-CH 60A 500V PLUS247 Серия: Linear L2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 610nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 24
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTX46N50L
- ixtx46n50l
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 20V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 15V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 46A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7000pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTX40P50P
- ixtx40p50p
- IXYS
- MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 205nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11500
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК