Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXTX32P60P
- ixtx32p60p
- IXYS
- MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 196nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTX24N100
- ixtx24n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 267nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8700pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTX22N100L
- ixtx22n100l
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 20V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 15V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7050pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTX17N120L
- ixtx17n120l
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 500mA, 20V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 15V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8300pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTX170P10P
- ixtx170p10p
- IXYS
- MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1260
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTV98N20T
- ixtv98n20t
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 98A PLUS220 Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 98A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: PLUS-220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTV96N25T
- ixtv96n25t
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220 Серия: TrenchHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 96A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTV72N30T
- ixtv72n30t
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 72A PLUS220 Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: PLUS-220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTV60N30T
- ixtv60n30t
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 60A PLUS220 Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: PLUS-220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTV280N055TS
- ixtv280n055ts
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220SMD Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 98
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTV280N055T
- ixtv280n055t
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9800p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTV250N075TS
- ixtv250n075ts
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220SMD Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTV250N075T
- ixtv250n075t
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9900pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTV230N085TS
- ixtv230n085ts
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 187nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTV230N085T
- ixtv230n085t
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 187nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9900p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTV200N10TS
- ixtv200n10ts
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTV200N10T
- ixtv200n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTV130N15T
- ixtv130n15t
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220 Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: PLUS-220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTV120N15T
- ixtv120n15t
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220 Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: PLUS-220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTV110N25TS
- ixtv110n25ts
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 157nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9400pF @ 25V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК