Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXTV102N25T
- ixtv102n25t
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220 Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 102A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: PLUS-220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTV102N20T
- ixtv102n20t
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220 Серия: TrenchHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 102A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 68
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTU64N055T
- ixtu64n055t
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 64A TO-251 Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 64A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + ta
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTU5N50P
- ixtu5n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 620
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTU55N075T
- ixtu55n075t
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 55A TO-251 Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + ta
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTU50N085T
- ixtu50n085t
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 50A TO-251 Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + ta
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTU44N10T
- ixtu44n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 44A TO-251 Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads +
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTU2N80P
- ixtu2n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH TO-251 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 440pF @ 25V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTU1R4N60P
- ixtu1r4n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 1.4A 6 TO-251 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTU12N06T
- ixtu12n06t
- IXYS
- MOSFET N-CH 60V 12A TO-251 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 256pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTU08N100P
- ixtu08n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: IPak, TO-251 (2 straight leads + tab)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTU06N120P
- ixtu06n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 600mA · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 stra
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTU05N120
- ixtu05n120
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 stra
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTU05N100
- ixtu05n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 Ohm @ 375mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 750mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 260pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTU02N50D
- ixtu02n50d
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 200MA TO-251 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 50mA, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Depletio
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTU01N80
- ixtu01n80
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTU01N100D
- ixtu01n100d
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 Ohm @ 50mA, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTT96N20P
- ixtt96n20p
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 145nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 96A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTT96N15P
- ixtt96n15p
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 96A TO-268 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 96A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTT90P10P
- ixtt90p10p
- IXYS
- MOSFET P-CH 100V 90A TO-268 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК