Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXTT8P50
- ixtt8p50
- IXYS
- MOSFET P-CH 500V 8A TO-268 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3400pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT88N30P
- ixtt88n30p
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 88A TO-268 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 88A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT88N15
- ixtt88n15
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 88A TO-268 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 88A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT82N25P
- ixtt82n25p
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 82A TO-268 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 142nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 82A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT75N10
- ixtt75n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 75A TO-268 Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT74N20P
- ixtt74n20p
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 74A TO-268 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 74A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT72N20
- ixtt72n20
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 72A TO-268 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4400pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT6N120
- ixtt6n120
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1950pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT69N30P
- ixtt69n30p
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 69A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4960pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT64N25P
- ixtt64n25p
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 64A TO-268 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 64A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3450pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT60N10
- ixtt60n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 60A TO-268 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3200pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT52N30P
- ixtt52n30p
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3490pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT50P10
- ixtt50p10
- IXYS
- MOSFET P-CH 100V 50A TO-268 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT50P085
- ixtt50p085
- IXYS
- MOSFET P-CH 85V 50A TO-268 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT48P20P
- ixtt48p20p
- IXYS
- MOSFET P-CH 200V 48A TO-268 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 103nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT40N50L2
- ixtt40n50l2
- IXYS
- MOSFET N-CH 40A 500V TO-268 Серия: Linear L2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 320nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 104
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT36P10
- ixtt36p10
- IXYS
- MOSFET P-CH 100V 36A TO-268 Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: TO-268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT30N60L2
- ixtt30n60l2
- IXYS
- MOSFET N-CH 30A 600V TO-268 Серия: Linear L2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 335nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 107
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT30N50L2
- ixtt30n50l2
- IXYS
- MOSFET N-CH 30A 500V TO-268 Серия: Linear L2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT30N50L
- ixtt30n50l
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10200pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК