Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для IXTT26N50P

IXTT26N50P

  • ixtt26n50p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTT24P20

IXTT24P20

  • ixtt24p20
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 200V 24A TO-268 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 25V · FET Pola

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTT20P50P

IXTT20P50P

  • ixtt20p50p
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 500V 20A TO-268 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 103nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5120pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTT20N50D

IXTT20N50D

  • ixtt20n50d
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 125nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 25V · FET Polari

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTT1N100

IXTT1N100

  • ixtt1n100
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 480pF @ 25V · FET P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTT170N10P

IXTT170N10P

  • ixtt170n10p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 198nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTT16P60P

IXTT16P60P

  • ixtt16p60p
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 92nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5120pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTT16P20

IXTT16P20

  • ixtt16p20
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 200V 16A TO-268 Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: TO-268

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTT140N10P

IXTT140N10P

  • ixtt140n10p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTT120N15P

IXTT120N15P

  • ixtt120n15p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4900

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTT11P50

IXTT11P50

  • ixtt11p50
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 500V 11A TO-268 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700pF @ 25V · FET Pola

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTT110N10P

IXTT110N10P

  • ixtt110n10p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3550

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTT10P60

IXTT10P60

  • ixtt10p60
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700pF @ 25V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTT10P50

IXTT10P50

  • ixtt10p50
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700pF @ 25V · FET Pola

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTT10N100D

IXTT10N100D

  • ixtt10n100d
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 25V · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTT100N25P

IXTT100N25P

  • ixtt100n25p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6300

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTR90P20P

IXTR90P20P

  • ixtr90p20p
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 205nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 53A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12000

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTR90P10P

IXTR90P10P

  • ixtr90p10p
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5800p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTR62N15P

IXTR62N15P

  • ixtr62n15p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH ISOPLUS-247 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTR48P20P

IXTR48P20P

  • ixtr48p20p
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 200V 30V ISOPLUS247 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 103nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5400p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь