Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IXTR40P50P

  • ixtr40p50p
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 205nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTR36P15P

  • ixtr36p15p
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2950

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTR32P60P

  • ixtr32p60p
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 196nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1110

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTR30N25

  • ixtr30n25
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 136nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3950pF @ 25V · FET Pol

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTR20P50P

  • ixtr20p50p
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 103nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5120

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTR200N10P

  • ixtr200n10p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 235nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTR170P10P

  • ixtr170p10p
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 85A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 108A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 126

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTR16P60P

  • ixtr16p60p
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 92nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5120pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTQ98N20T

  • ixtq98n20t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 98A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 98A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTQ96N25T

  • ixtq96n25t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P Серия: TrenchHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 96A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6100pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTQ96N15P

  • ixtq96n15p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 96A TO-3P Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 96A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTQ90N15T

  • ixtq90n15t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4100pF @ 25V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTQ88N15

  • ixtq88n15
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 88A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 88A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTQ86N20T

  • ixtq86n20t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 86A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTQ80N28T

  • ixtq80n28t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 280V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5000pF @ 25V · FET Polari

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTQ76N25T

  • ixtq76n25t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 250V 76A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 92nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 76A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTQ74N15T

  • ixtq74n15t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 74A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 74A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTQ72N30T

  • ixtq72n30t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 300V 72A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTQ72N20T

  • ixtq72n20t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 72A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTQ69N30P

  • ixtq69n30p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 300V 69A TO-3P Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 69A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4960pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь