Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXTQ62N25T
- ixtq62n25t
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ62N15P
- ixtq62n15p
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ60N30T
- ixtq60n30t
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 60A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ56N15T
- ixtq56n15t
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 56A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ54N30T
- ixtq54n30t
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 54A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ52P10P
- ixtq52p10p
- IXYS
- MOSFET P-CH 100V 52A TO-3P Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2845pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ50N20P
- ixtq50n20p
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2720pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ48N20T
- ixtq48n20t
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ44P15T
- ixtq44p15t
- IXYS
- MOSFET P-CH 150V 44A TO-3P Серия: TrenchP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 175nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ44N30T
- ixtq44n30t
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 44A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ40N50Q
- ixtq40n50q
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ40N50L2
- ixtq40n50l2
- IXYS
- MOSFET N-CH 40A 500V TO-3P Серия: Linear L2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 320nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1040
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ36P15P
- ixtq36p15p
- IXYS
- MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ36N20T
- ixtq36n20t
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ30N60L2
- ixtq30n60l2
- IXYS
- MOSFET N-CH 30A 600V TO-3P Серия: Linear L2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 335nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1070
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ30N50L2
- ixtq30n50l2
- IXYS
- MOSFET N-CH 30A 500V TO-3P Серия: Linear L2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ30N50L
- ixtq30n50l
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10200pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ280N055T
- ixtq280n055t
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9700pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ26P20P
- ixtq26p20p
- IXYS
- MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2740pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ250N075T
- ixtq250n075t
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 250A TO-3P Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9900pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК