Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDP030N06
- fdp030n06
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 120A TO220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 151nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9815
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP025N06
- fdp025n06
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 226nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 148
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS8848NZ
- fdms8848nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 22.8A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 22.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS7692A
- fdms7692a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 135
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS7692
- fdms7692
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 14A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS7680
- fdms7680
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 14A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS6681Z
- fdms6681z
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 22.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 241nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS6673BZ
- fdms6673bz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 15.2A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 15.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS5352
- fdms5352
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 13.6A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 13.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 131nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS3500
- fdms3500
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 9.2A POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 11.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC8884
- fdmc8884
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 9A POWER33 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 685pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC8651
- fdmc8651
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 15A POWER33 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 15A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC8462
- fdmc8462
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 14A POWER33 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 266
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC4435BZ
- fdmc4435bz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 8.5A POWER33 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 204
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC15N06
- fdmc15n06
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA410NZ
- fdma410nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 9.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDL100N50F
- fdl100n50f
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 100A TO-264 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 238nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDI040N06
- fdi040n06
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 133nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8235pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDI030N06
- fdi030n06
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 151nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9815
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDI025N06
- fdi025n06
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 265A TO-262 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 226nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 265A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 148
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК